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第一类陶瓷介质电容器的损耗因素随着频率的上升而增加，第一类介质的C0G介质的损耗因素与电容量、频率的关系，由于电容量的增加容抗减小，使陶瓷电容器在同样的频率下损耗因素随电容量的增加而变大。相同电容量的电容器损耗因数随频率增加而变大。实际上C0G介质的介质损耗在应用频率内不随频率变化。
损耗因素随频率增加的原因是：在电容器的端电压不变的条件下测量损耗因素时，随着频率的增加，电容器电流随之增加，因而在电容器的ESR产生的损耗也随之增加。当频率高过某一数值后，由ESR产生的损耗成为主要损耗，这时的损耗因素将随频率线性上升。
第二类陶瓷介质电容器的损耗因素随频率的变化特性与第一类介质基本相似。
本文章来自于陶瓷电容
