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陶瓷电容器是目前电子设备中使用最广泛的一种电容器，占整个电容器使用数量的50%左右。
（1）于高频谐振电路，除要求电容器损耗小外，还要求容量有良好的温度稳定性，通常选用1类瓷介电容，其容量基本不随温度而变化，但其容量仅在几PF~几百PF之间。
（2）对于做低频耦合、旁路、滤波的电容器，往往考虑小型及低成本是主要的，而对损耗和容量的温度稳定性要求不高，一般可选用2类瓷介电容器，其容量选择范围较宽。
（3）陶瓷电容器虽然耐压余量较薄膜电容器和电解电容器要大，但也不允许在超过其额定电压的条件下使用，否则由于电极中的金属离子在强电场作用下再陶瓷介质中的迁移速度加快而导致电容器绝缘电阻下降而影响整机长期工作的可靠性。
（4）对于高温和高压条件下工作的电容器，应注意选用绝缘电阻较高的产品，以防因漏电增大产生恶性循环导致电容器失效。通常绝缘电阻IR≥10000MΩ。例如：在CRT加速极滤波位置应选用足够的绝缘电阻；对于行逆程电路，因对容量的稳定性和损耗要求较高，只能选用1类高压瓷介电容器，做为聚丙烯电容的容量补偿电容使用，否则会造成严重质量隐患。
陶瓷电容与其他电容相比，不同之处主要陶瓷电容器根据材料不同存在许多不同的温度组别，其特性和容量范围即有很大差异。
应根据线路使用工作状态和环境条件，选择合适的型号，主要参数应满足线路使用要求。
（1）于高频谐振电路，除要求电容器损耗小外，还要求容量有良好的温度稳定性，通常选用1类瓷介电容，其容量基本不随温度而变化，但其容量仅在几PF~几百PF之间。
（2）对于做低频耦合、旁路、滤波的电容器，往往考虑小型及低成本是主要的，而对损耗和容量的温度稳定性要求不高，一般可选用2类瓷介电容器，其容量选择范围较宽。
（3）陶瓷电容器虽然耐压余量较薄膜电容器和电解电容器要大，但也不允许在超过其额定电压的条件下使用，否则由于电极中的金属离子在强电场作用下再陶瓷介质中的迁移速度加快而导致电容器绝缘电阻下降而影响整机长期工作的可靠性。
（4）对于高温和高压条件下工作的电容器，应注意选用绝缘电阻较高的产品，以防因漏电增大产生恶性循环导致电容器失效。通常绝缘电阻IR≥10000MΩ。例如：在CRT加速极滤波位置应选用足够的绝缘电阻；对于行逆程电路，因对容量的稳定性和损耗要求较高，只能选用1类高压瓷介电容器，做为聚丙烯电容的容量补偿电容使用，否则会造成严重质量隐患。
陶瓷电容与其他电容相比，不同之处主要陶瓷电容器根据材料不同存在许多不同的温度组别，其特性和容量范围即有很大差异。
